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2022360AOH3110-Bild.Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOH3110

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    AOH3110
  • Hersteller / Marke
    Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 1A SOT223
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.AOH3110.pdf
    2.AOH3110.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.9V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-223
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    700 mOhm @ 900mA, 10V
  • Verlustleistung (max)
    3.1W (Ta)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-261-4, TO-261AA
  • Andere Namen
    785-1486-1
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    100pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 1A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    1A (Ta)

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Das Folgende sind "AOH3110" -Einziper.
BSS123L

BSS123L

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BUK9832-55A/CUX

BUK9832-55A/CUX

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 12A SOT223

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
AOH3254

AOH3254

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 5A SOT223-4

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
DMN3052LSS-13

DMN3052LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
IXFT12N100

IXFT12N100

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
NVD5890NT4G

NVD5890NT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
TPH3206PS

TPH3206PS

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 17A TO220

Hersteller: Transphorm
vorrätig
RFQ
TK62J60W,S1VQ

TK62J60W,S1VQ

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SI4463BDY-T1-E3

SI4463BDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IXTM5N100

IXTM5N100

Beschreibung: POWER MOSFET TO-3

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
AOH3106

AOH3106

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
NTD20N03L27

NTD20N03L27

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IPC95R1K2P7X7SA1

IPC95R1K2P7X7SA1

Beschreibung: MOSFET N-CH BARE DIE

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FDM21-05QC

FDM21-05QC

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
NP40N10YDF-E1-AY

NP40N10YDF-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 40A MP-25ZP

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
IPP100N06S2L05AKSA1

IPP100N06S2L05AKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FQP6N60C

FQP6N60C

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
TK100A08N1,S4X

TK100A08N1,S4X

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SI2321DS-T1-GE3

SI2321DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IRLH6224TR2PBF

IRLH6224TR2PBF

Beschreibung: MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
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