Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-Einzel > 2N6668
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
430132

2N6668

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    2N6668
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PNP DARL 80V 10A TO220
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    80V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    -
  • Transistor-Typ
    PNP - Darlington
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    65W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3
  • Andere Namen
    2N6668CS
  • Betriebstemperatur
    -
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenz - Übergang
    20MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 10A 20MHz 65W Through Hole TO-220
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    -
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    10A
2N6667G

2N6667G

Beschreibung: TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
2N6671

2N6671

Beschreibung: TRANS PNP 300V 8A TO-3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
2N6661-E3

2N6661-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
2N6676

2N6676

Beschreibung: PNP TRANSISTOR

Hersteller: Microsemi
vorrätig
2N6668

2N6668

Beschreibung: TRANS PNP DARL 80V 10A TO-220

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
2N6672

2N6672

Beschreibung: PNP TRANSISTOR

Hersteller: Microsemi
vorrätig
2N6661JAN02

2N6661JAN02

Beschreibung: MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
2N6673

2N6673

Beschreibung: PNP TRANSISTOR

Hersteller: Microsemi
vorrätig
2N6677

2N6677

Beschreibung: PNP TRANSISTOR

Hersteller: Microsemi
vorrätig
2N6678

2N6678

Beschreibung: PNP TRANSISTOR

Hersteller: Microsemi
vorrätig
2N6714

2N6714

Beschreibung: TRANS NPN MED PWR 30V 2A TO-237

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
2N6661JTVP02

2N6661JTVP02

Beschreibung: MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
2N6675

2N6675

Beschreibung: PNP TRANSISTOR

Hersteller: Microsemi
vorrätig
2N6661JTXP02

2N6661JTXP02

Beschreibung: MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
2N6678T1

2N6678T1

Beschreibung: NPN TRANSISTOR

Hersteller: Microsemi
vorrätig
2N6661JTX02

2N6661JTX02

Beschreibung: MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
2N6661JTXV02

2N6661JTXV02

Beschreibung: MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
2N6667

2N6667

Beschreibung: TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
2N6674

2N6674

Beschreibung: PNP TRANSISTOR

Hersteller: Microsemi
vorrätig
2N6661JTXL02

2N6661JTXL02

Beschreibung: MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden