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42039871N4005T-G-Bild.Comchip Technology

1N4005T-G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N4005T-G
  • Hersteller / Marke
    Comchip Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N4005T-G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-41
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 1A Through Hole DO-41
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    1N4005

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Das Folgende sind "1N4005T-G" -Einziper.
1N4006 TR

1N4006 TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4006

1N4006

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N4006-E3/54

1N4006-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4005RLG

1N4005RLG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4005TA

1N4005TA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
1N4006-E3/53

1N4006-E3/53

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4006

1N4006

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4006-G

1N4006-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
1N4005GPHE3/54

1N4005GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4005GPP BK

1N4005GPP BK

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4005GPHE3/73

1N4005GPHE3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4005GPHM3/73

1N4005GPHM3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4005GPP TR

1N4005GPP TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4006 BK

1N4006 BK

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4005GPHM3/54

1N4005GPHM3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N4005L-T

1N4005L-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4005GPEHE3/73

1N4005GPEHE3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4006

1N4006

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4005RL

1N4005RL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4006-E3/73

1N4006-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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