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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N4006
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47784651N4006-Bild.ON Semiconductor

1N4006

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N4006
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    1N4006.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1A
  • Spannung - Durchschlag
    DO-41
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Bulk
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Andere Namen
    1N4006OS
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    1N4006
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 800V 1A Through Hole DO-41
  • Diodenkonfiguration
    10µA @ 800V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.1V @ 1A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    800V
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

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Das Folgende sind "1N4006" -Einziper.
1N4006-E3/53

1N4006-E3/53

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4005GPP TR

1N4005GPP TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4006 BK

1N4006 BK

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4006-E3/54

1N4006-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4005RLG

1N4005RLG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4005TA

1N4005TA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
1N4006 TR

1N4006 TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4006

1N4006

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4005GPP BK

1N4005GPP BK

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4006-E3/73

1N4006-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4005GPHM3/73

1N4005GPHM3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4005T-G

1N4005T-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
1N4005GPHM3/54

1N4005GPHM3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N4006-N-0-2-BP

1N4006-N-0-2-BP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N4006

1N4006

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N4006-N-0-1-BP

1N4006-N-0-1-BP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N4006-N-0-3-AP

1N4006-N-0-3-AP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N4005RL

1N4005RL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4005L-T

1N4005L-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4006-G

1N4006-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
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