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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N4007B-G
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2490521N4007B-G-Bild.Comchip Technology

1N4007B-G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N4007B-G
  • Hersteller / Marke
    Comchip Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N4007B-G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1000V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-41
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Andere Namen
    1N4007B-G-ND
    641-1967
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1000V 1A Through Hole DO-41
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    1N4007

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1N4007G A0G

1N4007G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4007-N-0-3-AP

1N4007-N-0-3-AP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N4007/54

1N4007/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4007FF

1N4007FF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4007G R1G

1N4007G R1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4007-N-0-2-BP

1N4007-N-0-2-BP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N4007-N-2-1-BP

1N4007-N-2-1-BP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N4007G B0G

1N4007G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4007-N-2-2-BP

1N4007-N-2-2-BP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N4007-N-0-4-AP

1N4007-N-0-4-AP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N4007E-E3/54

1N4007E-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4007G

1N4007G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4007FFG

1N4007FFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4007G R0G

1N4007G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4007-N-2-4-AP

1N4007-N-2-4-AP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N4007E-E3/53

1N4007E-E3/53

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4007-T

1N4007-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4007E-E3/73

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4007-TP

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N4007-N-2-3-AP

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
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