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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N4007E-E3/73

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4295551

1N4007E-E3/73-Bild.

Electro-Films (EFI) / Vishay

1N4007E-E3/73

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Spezifikation

Artikelnummer

1N4007E-E3/73
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1N4007E-E3/73.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

1000V
Supplier Device-Gehäuse

DO-204AL (DO-41)
Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
Verpackung

Tape & Box (TB)
Verpackung / Gehäuse

DO-204AL, DO-41, Axial
Andere Namen

1N4007E-E3/73-ND
1N4007E-E3/73GITB
IN4007E-E3/73
Betriebstemperatur - Anschluss

-55°C ~ 150°C
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

25 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 1000V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

5µA @ 1000V
Strom - Richt (Io)

1A
Kapazität @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz
Basisteilenummer

1N4007

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Das Folgende sind "1N4007E-E3/73" -Einziper.

1N4007-N-2-3-AP

1N4007-N-2-3-AP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

vorrätig

1N4007FFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

1N4007FF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Hersteller: ON Semiconductor

vorrätig

1N4007-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

1N4007GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

1N4007-N-2-2-BP

1N4007-N-2-2-BP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

vorrätig

1N4007G-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

1N4007-N-2-4-AP

1N4007-N-2-4-AP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

vorrätig

1N4007GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

1N4007G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

1N4007G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

1N4007-N-2-1-BP

1N4007-N-2-1-BP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

vorrätig

1N4007-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

vorrätig

1N4007G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

1N4007E-E3/53

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

1N4007E-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

1N4007B-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Hersteller: Comchip Technology

vorrätig

1N4007/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

1N4007G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

1N4007G R1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

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