Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > A1N4007G-G
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
6980938A1N4007G-G-Bild.Comchip Technology

A1N4007G-G

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
5000+
$0.042
10000+
$0.036
25000+
$0.034
50000+
$0.032
125000+
$0.028
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    A1N4007G-G
  • Hersteller / Marke
    Comchip Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    A1N4007G-G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1000V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-41
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Andere Namen
    641-1795-2
    641-1795-2-ND
    641-1795-3
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 125°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1000V 1A Through Hole DO-41
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "A1N4007G-G" -Einziper.
MBR160RLG

MBR160RLG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 1A AXIAL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DB2U31600L

DB2U31600L

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD923

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
B350BE-13

B350BE-13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
SS16LSHRVG

SS16LSHRVG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD123HE

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ST1060STR

ST1060STR

Beschreibung: TRENCH SCHOTTKY RECTIFIERS 60V T

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
SD103AW-G3-08

SD103AW-G3-08

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6624U

JANTXV1N6624U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
20ETF10

20ETF10

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
FS1B-LTP

FS1B-LTP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
VSSAF5L45HM3_A/I

VSSAF5L45HM3_A/I

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 5A DO221AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4148WX-TP

1N4148WX-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
NSR20F30QNXT5G

NSR20F30QNXT5G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 2A 2DSN

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
HER101G B0G

HER101G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N6479HE3/96

1N6479HE3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-2EJH01-M3/6B

VS-2EJH01-M3/6B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
TSOD1F8HM RVG

TSOD1F8HM RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123FL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SS1H10HE3_B/H

SS1H10HE3_B/H

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
A1N5404G-G

A1N5404G-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO27

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
VS-1N1204A

VS-1N1204A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S2AA-13-F

S2AA-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1.5A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.