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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > A1N5404G-G
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A1N5404G-G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    A1N5404G-G
  • Hersteller / Marke
    Comchip Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 3A DO27
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    A1N5404G-G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-27
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-201AA, DO-27, Axial
  • Andere Namen
    641-1896-1
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 3A Through Hole DO-27
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    50pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "A1N5404G-G" -Einziper.
A1N4007G-G

A1N4007G-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
GP10AE-M3/73

GP10AE-M3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAS283-GS08

BAS283-GS08

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 30MA SOD80

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GL34G-TP

GL34G-TP

Beschreibung: DIODE GP 400V 500MA MINI MELF

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
SS8P3LHM3/87A

SS8P3LHM3/87A

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 8A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4001GPE-M3/54

1N4001GPE-M3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
UG2D R0G

UG2D R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BYT51M-TAP

BYT51M-TAP

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1A-M3/5AT

RS1A-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SS15LHMQG

SS15LHMQG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N3289AR

1N3289AR

Beschreibung: STANDARD RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MBR40150PTE3/TU

MBR40150PTE3/TU

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40A 150V TO-247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
CGRKM4007-HF

CGRKM4007-HF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123F

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
SFF1002G C0G

SFF1002G C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 10A ITO220AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4007GL-T

1N4007GL-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
U3D-E3/57T

U3D-E3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-SD1100C22C

VS-SD1100C22C

Beschreibung: DIODE GP 2.2KV 1100A B43 PUK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
STTH3R04RL

STTH3R04RL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
120NQ040-1

120NQ040-1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 120A PRM1-1

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
A187RPE

A187RPE

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 1.5KV DO205AA

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
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