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4860146CY14B108L-ZS20XI-Bild.Cypress Semiconductor

CY14B108L-ZS20XI

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    CY14B108L-ZS20XI
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC NVSRAM 8M PARALLEL 44TSOP II
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    CY14B108L-ZS20XI.pdf
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    20ns
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Supplier Device-Gehäuse
    44-TSOP II
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Andere Namen
    CY14B108LZS20XI
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    8Mb (1M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    NVSRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 8Mb (1M x 8) Parallel 20ns 44-TSOP II
  • Basisteilenummer
    CY14B108
  • Zugriffszeit
    20ns

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CY14B108L-BA25XI

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