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2978961CY7C109BNL-15VC-Bild.Cypress Semiconductor

CY7C109BNL-15VC

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    CY7C109BNL-15VC
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    32-SOJ
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    1Mb (128K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 15ns 32-SOJ
  • Basisteilenummer
    CY7C109
  • Zugriffszeit
    15ns
CY7C109D-10VXI

CY7C109D-10VXI

Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
CY7C1145KV18-400BZXI

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
CY7C1143KV18-450BZC

CY7C1143KV18-450BZC

Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY7C109BN-15ZXC

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY7C109B-20VC

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY7C1145KV18-400BZXC

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CY7C109BN-15ZXCT

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CY7C109D-10ZXI

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Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY7C109D-10VXIT

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CY7C1143KV18-400BZC

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CY7C109BN-12ZXCT

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CY7C109B-20ZXC

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CY7C109B-20ZC

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

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CY7C109BN-20ZXC

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CY7C1145KV18-400BZXCT

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CY7C109BN-12ZXC

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CY7C109BN-20ZXCT

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CY7C1143KV18-400BZI

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