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CY7C1314SV18-250BZC-Bild.

Cypress Semiconductor

CY7C1314SV18-250BZC

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Spezifikation

Artikelnummer

CY7C1314SV18-250BZC
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.9 V
Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II
Supplier Device-Gehäuse

165-FBGA (13x15)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

165-LBGA
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 250MHz 165-FBGA (13x15)
Uhrfrequenz

250MHz
Basisteilenummer

CY7C1314

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CY7C1315BV18-200BZC

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor

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CY7C1315BV18-200BZI

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor

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CY7C1314JV18-250BZXC

CY7C1314JV18-250BZXC

Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor

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CY7C1315BV18-167BZC

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor

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CY7C1314KV18-250BZI

CY7C1314KV18-250BZI

Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor

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CY7C1314KV18-250BZC

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor

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CY7C1314KV18-250BZCT

CY7C1314KV18-250BZCT

Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor

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CY7C1314KV18-250BZXCT

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor

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CY7C1315BV18-200BZXC

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Hersteller: Cypress Semiconductor

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CY7C1314KV18-300BZXC

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CY7C1315BV18-200BZXI

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CY7C1315CV18-167BZC

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CY7C1315BV18-250BZC

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CY7C1314TV18-167BZC

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CY7C1314SV18-200BZC

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CY7C1315BV18-250BZXC

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