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1232392CY7C1314KV18-250BZXC-Bild.Cypress Semiconductor

CY7C1314KV18-250BZXC

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    CY7C1314KV18-250BZXC
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    CY7C1314KV18-250BZXC.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SRAM - Synchronous, QDR II
  • Supplier Device-Gehäuse
    165-FBGA (13x15)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    165-LBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    15 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 250MHz 165-FBGA (13x15)
  • Uhrfrequenz
    250MHz
  • Basisteilenummer
    CY7C1314

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