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CY7C131E-55NXCT

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    CY7C131E-55NXCT
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 8K PARALLEL 52PQFP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    CY7C131E-55NXCT.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    55ns
  • Spannungsversorgung
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Technologie
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    52-PQFP (10x10)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    52-BQFP
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    8Kb (1K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 8Kb (1K x 8) Parallel 55ns 52-PQFP (10x10)
  • Zugriffszeit
    55ns

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
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CY7C131E-25JXCT

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Beschreibung: IC SRAM 8K PARALLEL 52PLCC

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY7C131E-55JXI

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Beschreibung: IC SRAM 8K PARALLEL 52PLCC

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CY7C1320BV18-200BZC

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
RFQ
CY7C13201KV18-300BZXC

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
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CY7C1320CV18-250BZC

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY7C131E-15NXI

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Beschreibung: IC SRAM 8K PARALLEL 52PQFP

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CY7C131E-55NXC

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CY7C131E-25NXC

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CY7C1320BV18-167BZC

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CY7C13201KV18-333BZXC

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CY7C1320BV18-250BZC

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CY7C131E-25NXCT

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CY7C131E-55JXIT

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CY7C131E-55JXC

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