CY7C1413JV18-250BZI

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Spezifikation

Artikelnummer

CY7C1413JV18-250BZI
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

CY7C1413JV18-250BZI.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.9 V
Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II
Supplier Device-Gehäuse

165-FBGA (15x17)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

165-LBGA
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

36Mb (2M x 18)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb (2M x 18) Parallel 250MHz 165-FBGA (15x17)
Uhrfrequenz

250MHz
Basisteilenummer

CY7C1413

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Das Folgende sind "CY7C1413JV18-250BZI" -Einziper.

CY7C1413BV18-200BZC

Beschreibung: IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor

vorrätig

CY7C1413JV18-250BZI

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