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2266159CYDD09S36V18-200BBXC-Bild.Cypress Semiconductor

CYDD09S36V18-200BBXC

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    CYDD09S36V18-200BBXC
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    CYDD09S36V18-200BBXC.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    256-FBGA (17x17)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    256-LBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    5 (48 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    9Mb (128K x 36 x 2)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 9Mb (128K x 36 x 2) Parallel 200MHz 500ps 256-FBGA (17x17)
  • Uhrfrequenz
    200MHz
  • Basisteilenummer
    CYDD
  • Zugriffszeit
    500ps

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CYDC064B08-55AXI

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CYDM064B16-40BVXI

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Beschreibung: IC SRAM 64K PARALLEL 100VFBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CYDD18S72V18-167BBXI

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
RFQ
CYD36S72V18-167BGXC

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Beschreibung: IC SRAM 36M PARALLEL 484FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
RFQ
CYDC1543-GC

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Beschreibung: DEVELOPMENT KIT

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CYDD18S36V18-200BBXC

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CYDD18S72V18-167BBXC

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CYDM064B08-40BVXI

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CYDM064B16-40BVXIT

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