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CYDM064B16-40BVXIT

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    CYDM064B16-40BVXIT
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 64K PARALLEL 100VFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    40ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V, 2.4 V ~ 2.6 V, 3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SRAM - Dual Port, MoBL
  • Supplier Device-Gehäuse
    100-VFBGA (6x6)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    100-VFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    64Kb (4K x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Dual Port, MoBL Memory IC 64Kb (4K x 16) Parallel 40ns 100-VFBGA (6x6)
  • Basisteilenummer
    CYDM
  • Zugriffszeit
    40ns

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CYDM064B16-40BVXI

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CYDM064B16-55BVXIT

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CYDM128B08-55BVXI

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Beschreibung: IC SRAM 128K PARALLEL 100VFBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CYDD18S36V18-200BBXC

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CYDM128B08-40BVXI

CYDM128B08-40BVXI

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CYDD18S72V18-167BBXI

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CYDM256B16-40BVXI

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