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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > S26KS256SDGBHN030
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6355114S26KS256SDGBHN030-Bild.Cypress Semiconductor

S26KS256SDGBHN030

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S26KS256SDGBHN030
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    FLASH - NOR
  • Supplier Device-Gehäuse
    24-FBGA (6x8)
  • Serie
    HyperFlash™ KS
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    24-VBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 125°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    256Mb (32M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    15 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NOR Memory IC 256Mb (32M x 8) Parallel 133MHz 96ns 24-FBGA (6x8)
  • Uhrfrequenz
    133MHz
  • Zugriffszeit
    96ns
S26KS256SDPBHM023

S26KS256SDPBHM023

Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 166MHZ

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S26KS256SDGBHM030

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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

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S26KS256SDPBHM020

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S26KS256SDGBHI030

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S26KS256SDPBHA023

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S26KS256SDABHN030

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S26KS512SDABHA030

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

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S26KS256SDPBHI020

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S26KS256SDGBHA030

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S26KS256SDGBHV030

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S26KS256SDPBHB020

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S26KS256SDPBHN020

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S26KS256SDPBHV020

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