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S26KS256SDPBHM023

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S26KS256SDPBHM023
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 256M PARALLEL 166MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    FLASH - NOR
  • Serie
    Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KS
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 125°C (TA)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    256Mb (32M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    15 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NOR Memory IC 256Mb (32M x 8) Parallel 166MHz 96ns
  • Uhrfrequenz
    166MHz
  • Zugriffszeit
    96ns
S26KS512SDABHB030

S26KS512SDABHB030

Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
S26KS256SDPBHA023

S26KS256SDPBHA023

Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S26KS512SDABHV030

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S26KS256SDGBHM030

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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S26KS512SDABHI030

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S26KS512SDGBHA030

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 133MHZ

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S26KS256SDGBHI030

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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

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S26KS256SDPBHM020

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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 166MHZ

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S26KS256SDGBHN030

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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA

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S26KS512SDABHM030

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S26KS512SDGBHB030

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S26KS256SDPBHN020

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S26KS256SDPBHB020

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S26KS256SDPBHA020

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S26KS512SDABHN030

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S26KS256SDGBHV030

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S26KS256SDPBHI020

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S26KS256SDPBHV020

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S26KS256SDGBHB030

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