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S26KS512SDABHN030

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  • Artikelnummer
    S26KS512SDABHN030
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    FLASH - NOR
  • Supplier Device-Gehäuse
    24-FBGA (6x8)
  • Serie
    HyperFlash™ KS
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    24-VBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 125°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 100MHz 96ns 24-FBGA (6x8)
  • Uhrfrequenz
    100MHz
  • Zugriffszeit
    96ns
S26KS512SDPBHA020

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S26KS512SDABHI030

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S26KS256SDPBHM023

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 133MHZ

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S26KS512SDPBHB020

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