S29GL512S10FHI013

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Spezifikation

Artikelnummer

S29GL512S10FHI013
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

S29GL512S10FHI013.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

60ns
Spannungsversorgung

2.7 V ~ 3.6 V
Technologie

FLASH - NOR
Supplier Device-Gehäuse

64-Fortified BGA (13x11)
Serie

GL-S
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

64-LBGA
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Non-Volatile
Speichergröße

512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

FLASH
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

FLASH - NOR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 100ns 64-Fortified BGA (13x11)
Zugriffszeit

100ns

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Zahlungsmittel

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Das Folgende sind "S29GL512S10FHI013" -Einziper.

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

Hersteller: Cypress Semiconductor

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