S29GL512S11DHIV10

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Spezifikation

Artikelnummer

S29GL512S11DHIV10
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

S29GL512S11DHIV10.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

60ns
Spannungsversorgung

1.65 V ~ 3.6 V
Technologie

FLASH - NOR
Supplier Device-Gehäuse

64-FBGA (9x9)
Serie

GL-S
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

64-LBGA
Andere Namen

1274-1057
S29GL512S11DHIV10-ND
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Non-Volatile
Speichergröße

512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

FLASH
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

FLASH - NOR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 110ns 64-FBGA (9x9)
Zugriffszeit

110ns

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Das Folgende sind "S29GL512S11DHIV10" -Einziper.

S29GL512S11DHI010

Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor

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