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58780231N5402G-T-Bild.Diodes Incorporated

1N5402G-T

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N5402G-T
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N5402G-T.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-201AD
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    2µs
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-201AD, Axial
  • Andere Namen
    1N5402GCT
    1N5402GCT-ND
    1N5402GDICT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 3A Through Hole DO-201AD
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    40pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    1N5402

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Das Folgende sind "1N5402G-T" -Einziper.
1N5402-TP

1N5402-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N5402-E3/73

1N5402-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5402-G

1N5402-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
1N5403-E3/54

1N5403-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5402-T

1N5402-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N5402RL

1N5402RL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5402

1N5402

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5402GP-TP

1N5402GP-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N5402-E3/54

1N5402-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5402-B

1N5402-B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N5402GHA0G

1N5402GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5402/54

1N5402/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5402-E3/51

1N5402-E3/51

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5402GHR0G

1N5402GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5403

1N5403

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5402TA

1N5402TA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
1N5402RLG

1N5402RLG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5402G

1N5402G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5402GHB0G

1N5402GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5402T-G

1N5402T-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: Comchip Technology
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