Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N5402GHR0G
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
30258421N5402GHR0G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

1N5402GHR0G

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
5000+
$0.088
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N5402GHR0G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N5402GHR0G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-201AD
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-201AD, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 3A Through Hole DO-201AD
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    25pF @ 4V, 1MHz

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "1N5402GHR0G" -Einziper.
1N5402GHB0G

1N5402GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5402G-T

1N5402G-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N5402GHA0G

1N5402GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5402RL

1N5402RL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5402-TP

1N5402-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N5402TA

1N5402TA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
1N5402GP-TP

1N5402GP-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N5402-G

1N5402-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
1N5402T-G

1N5402T-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
1N5404-B

1N5404-B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N5402RLG

1N5402RLG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5404

1N5404

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5403-E3/54

1N5403-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5402-E3/54

1N5402-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5402-T

1N5402-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N5402/54

1N5402/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5403

1N5403

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5402G

1N5402G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5404

1N5404

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5402-E3/73

1N5402-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.