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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-Einzel > APT13005STF-G1
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4517055APT13005STF-G1-Bild.Diodes Incorporated

APT13005STF-G1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT13005STF-G1
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS NPN 450V 3.2A TO220
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    APT13005STF-G1.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    450V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    1V @ 750mA, 3A
  • Transistor-Typ
    NPN
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220F-3
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    28W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • Andere Namen
    APT13005STF-G1DI
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    24 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    4MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 3.2A 4MHz 28W Through Hole TO-220F-3
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    8 @ 2A, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    3.2A

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Das Folgende sind "APT13005STF-G1" -Einziper.
APT13005DT-G1

APT13005DT-G1

Beschreibung: TRANS NPN 450V 4A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
APT13GP120BDQ1G

APT13GP120BDQ1G

Beschreibung: IGBT 1200V 41A 250W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT13003SU-G1

APT13003SU-G1

Beschreibung: TRANS NPN 450V 1.3A TO126

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
APT13003NZTR-G1

APT13003NZTR-G1

Beschreibung: IC POWER TRANSISTOR HV TO92

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
APT13003LZTR-G1

APT13003LZTR-G1

Beschreibung: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
APT13005SU-G1

APT13005SU-G1

Beschreibung: TRANS NPN 450V 3.2A TO126

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
APT13005T-G1

APT13005T-G1

Beschreibung: TRANS NPN 450V 4A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
APT13005SI-G1

APT13005SI-G1

Beschreibung: TRANS NPN 450V 3.2A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
APT13GP120KG

APT13GP120KG

Beschreibung: IGBT 1200V 41A 250W TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT130SM70J

APT130SM70J

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT13005TF-G1

APT13005TF-G1

Beschreibung: TRANS NPN 450V 4A TO220-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
APT13003HZTR-G1

APT13003HZTR-G1

Beschreibung: TRANS NPN 465V 1.5A TO92

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
APT13005DI-G1

APT13005DI-G1

Beschreibung: TRANS NPN 450V 4A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
APT13003SZTR-G1

APT13003SZTR-G1

Beschreibung: TRANS NPN 450V 1.3A TO92

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
APT13GP120BG

APT13GP120BG

Beschreibung: IGBT 1200V 41A 250W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT13003HU-G1

APT13003HU-G1

Beschreibung: TRANS NPN 465V 1.5A TO126

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
APT13F120S

APT13F120S

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT13F120B

APT13F120B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 14A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT13005DTF-G1

APT13005DTF-G1

Beschreibung: TRANS NPN 450V 4A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
APT130SM70B

APT130SM70B

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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