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3976727APT13GP120BG-Bild.Microsemi

APT13GP120BG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT13GP120BG
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 1200V 41A 250W TO247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    APT13GP120BG.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    3.9V @ 15V, 13A
  • Testbedingung
    600V, 13A, 5 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    9ns/28ns
  • Schaltenergie
    115µJ (on), 165µJ (off)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247 [B]
  • Serie
    POWER MOS 7®
  • Leistung - max
    250W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    23 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    PT
  • Gate-Ladung
    55nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT PT 1200V 41A 250W Through Hole TO-247 [B]
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    50A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    41A

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Das Folgende sind "APT13GP120BG" -Einziper.
APT13F120B

APT13F120B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 14A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT13005SI-G1

APT13005SI-G1

Beschreibung: TRANS NPN 450V 3.2A TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
APT130SM70B

APT130SM70B

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT13GP120KG

APT13GP120KG

Beschreibung: IGBT 1200V 41A 250W TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT14M100S

APT14M100S

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT13005STF-G1

APT13005STF-G1

Beschreibung: TRANS NPN 450V 3.2A TO220

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
APT14M100B

APT14M100B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT13005T-G1

APT13005T-G1

Beschreibung: TRANS NPN 450V 4A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
APT150GN120JDQ4

APT150GN120JDQ4

Beschreibung: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT150GN120J

APT150GN120J

Beschreibung: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT13005SU-G1

APT13005SU-G1

Beschreibung: TRANS NPN 450V 3.2A TO126

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
APT13GP120BDQ1G

APT13GP120BDQ1G

Beschreibung: IGBT 1200V 41A 250W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT14F100B

APT14F100B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT13F120S

APT13F120S

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT14M120B

APT14M120B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT150GN60B2G

APT150GN60B2G

Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT13005TF-G1

APT13005TF-G1

Beschreibung: TRANS NPN 450V 4A TO220-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
APT14050JVFR

APT14050JVFR

Beschreibung: MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT14F100S

APT14F100S

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT130SM70J

APT130SM70J

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V SOT227

Hersteller: Microsemi
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