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5659705BSS123WQ-7-F-Bild.Diodes Incorporated

BSS123WQ-7-F

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BSS123WQ-7-F
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT323
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BSS123WQ-7-F.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-323
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6 Ohm @ 170mA, 10V
  • Verlustleistung (max)
    200mW (Ta)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-70, SOT-323
  • Andere Namen
    BSS123WQ-7-FDICT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    24 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    60pF @ 25V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 170mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-323
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    170mA (Ta)

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Das Folgende sind "BSS123WQ-7-F" -Einziper.
BSS126 E6906

BSS126 E6906

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSS123W-7

BSS123W-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BSS127 E6327

BSS127 E6327

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSS126H6906XTSA1

BSS126H6906XTSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSS123LT3G

BSS123LT3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BSS123NH6433XTMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSS126H6327XTSA2

BSS126H6327XTSA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSS123NH6327XTSA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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BSS123LT3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BSS126L6906HTSA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSS126L6327HTSA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSS126H6327XTSA1

BSS126H6327XTSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSS123_D87Z

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
BSS127H6327XTSA1

BSS127H6327XTSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSS123W-7-F

BSS123W-7-F

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BSS123TC

BSS123TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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BSS123LT1G

BSS123LT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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BSS123W

BSS123W

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT-323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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BSS123TA

BSS123TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
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BSS126 E6327

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

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