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BSS126 E6327

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BSS126 E6327
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.6V @ 8µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23-3
  • Serie
    SIPMOS®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    500 Ohm @ 16mA, 10V
  • Verlustleistung (max)
    500mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    BSS126 E6327-ND
    BSS126E6327
    BSS126E6327XT
    SP000055447
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    28pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.1nC @ 5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    Depletion Mode
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    0V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 21mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    21mA (Ta)
BSS127H6327XTSA1

BSS127H6327XTSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSS126 E6906

BSS126 E6906

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSS123_D87Z

BSS123_D87Z

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BSS127L6327HTSA1

BSS127L6327HTSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSS126H6327XTSA2

BSS126H6327XTSA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSS123W-7-F

BSS123W-7-F

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BSS123NH6433XTMA1

BSS123NH6433XTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSS126H6327XTSA1

BSS126H6327XTSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSS127H6327XTSA2

BSS127H6327XTSA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSS126L6327HTSA1

BSS126L6327HTSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSS123W-7

BSS123W-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BSS123NH6327XTSA1

BSS123NH6327XTSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSS127 E6327

BSS127 E6327

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSS126L6906HTSA1

BSS126L6906HTSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSS123LT3G

BSS123LT3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BSS123TA

BSS123TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BSS123TC

BSS123TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BSS123W

BSS123W

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT-323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BSS126H6906XTSA1

BSS126H6906XTSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BSS123WQ-7-F

BSS123WQ-7-F

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig

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