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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > DI9956T

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6355218

Diodes Incorporated

DI9956T

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Spezifikation

Artikelnummer

DI9956T
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

DI9956T.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-SOP
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 2.2A, 10V
Leistung - max

2W
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

DI9956
DI9956CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.7A 2W Surface Mount 8-SOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.7A
Basisteilenummer

DI9956

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Das Folgende sind "DI9956T" -Einziper.

SQJ960EP-T1_GE3

SQJ960EP-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 8A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

ALD212908SAL

ALD212908SAL

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.

vorrätig

SI4914BDY-T1-E3

SI4914BDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

FDW2512NZ

FDW2512NZ

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-TSSOP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

DI9952T

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

AON4807_101

AON4807_101

Beschreibung: MOSFET P-CH DUAL DFN

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

BSZ0909NDXTMA1

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 30V 20A WISON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

NTJD4401NT4G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

DI9400T

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

SI5903DC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

APTM100H46FT3G

APTM100H46FT3G

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3

Hersteller: Microsemi

vorrätig

DI9405T

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

SQJ963EP-T1_GE3

SQJ963EP-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET 2 P-CH 60V POWERPAK SO8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

MMDF3N04HDR2G

MMDF3N04HDR2G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

DI9430T

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

PMDPB70XPE,115

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON

Hersteller: Nexperia

vorrätig

DI9435T

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

IRF5810TR

IRF5810TR

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

DI9942T

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DI9945T

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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