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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > SI4914BDY-T1-E3

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SI4914BDY-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI4914BDY-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4914BDY-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

21 mOhm @ 8A, 10V
Leistung - max

2.7W, 3.1W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8.4A, 8A 2.7W, 3.1W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8.4A, 8A
Basisteilenummer

SI4914

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Das Folgende sind "SI4914BDY-T1-E3" -Einziper.

SI4923DY-T1-GE3

SI4923DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4910DY-T1-E3

SI4910DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4914DY-T1-E3

SI4914DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4922BDY-T1-GE3

SI4922BDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4922BDY-T1-E3

SI4922BDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4913DY-T1-E3

SI4913DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4914BDY-T1-GE3

SI4914BDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4904DY-T1-GE3

SI4904DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4906DY-T1-E3

SI4906DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4908DY-T1-GE3

SI4908DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4906DY-T1-GE3

SI4906DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4923DY-T1-E3

SI4923DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4920DY-T1-GE3

SI4920DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4916DY-T1-GE3

SI4916DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4920DY-T1-E3

SI4920DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4913DY-T1-GE3

SI4913DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SI4916DY-T1-E3

SI4916DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

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SI4910DY-T1-GE3

SI4910DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

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SI4909DY-T1-GE3

SI4909DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO

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SI4908DY-T1-E3

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

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