Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMG301NU-7
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
6543272DMG301NU-7-Bild.Diodes Incorporated

DMG301NU-7

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
3000+
$0.151
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMG301NU-7
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMG301NU-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    8V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4 Ohm @ 400mA, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    320mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    24 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    42pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.36nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    2.7V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    25V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 25V 260mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    260mA (Ta)

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "DMG301NU-7" -Einziper.
DMG3404L-7

DMG3404L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG263020R

DMG263020R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI5

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG263010R

DMG263010R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI5

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG3402L-7

DMG3402L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3413L-7

DMG3413L-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3406L-7

DMG3406L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3406L-13

DMG3406L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG264120R

DMG264120R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG264020R

DMG264020R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG264010R

DMG264010R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG264040R

DMG264040R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG302PU-7

DMG302PU-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG264H00R

DMG264H00R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG3407SSN-7

DMG3407SSN-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 4A SC59

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3404L-13

DMG3404L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG264050R

DMG264050R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG264060R

DMG264060R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG3401LSN-7

DMG3401LSN-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3A SC59

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG302PU-13

DMG302PU-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG301NU-13

DMG301NU-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.