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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased > DMG264060R
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DMG264060R

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6000+
$0.108
15000+
$0.101
30000+
$0.093
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMG264060R
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 500µA, 10mA
  • Transistor-Typ
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    Mini6-G4-B
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    -
  • Widerstand - Basis (R1)
    4.7 kOhms
  • Leistung - max
    300mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-23-6
  • Andere Namen
    DMG264060R-ND
    DMG264060RTR
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    11 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    -
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount Mini6-G4-B
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    160 @ 5mA, 10V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
  • Basisteilenummer
    DMG26406
DMG2307L-7

DMG2307L-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG263020R

DMG263020R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI5

Hersteller: Panasonic
vorrätig
DMG264020R

DMG264020R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
DMG264050R

DMG264050R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
DMG2305UXQ-13

DMG2305UXQ-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG302PU-7

DMG302PU-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG3401LSN-7

DMG3401LSN-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3A SC59

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG3402L-7

DMG3402L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG264010R

DMG264010R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
DMG264040R

DMG264040R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
DMG2305UXQ-7

DMG2305UXQ-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG263010R

DMG263010R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI5

Hersteller: Panasonic
vorrätig
DMG2305UX-7

DMG2305UX-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG3404L-13

DMG3404L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG264120R

DMG264120R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
DMG301NU-7

DMG301NU-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG301NU-13

DMG301NU-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG3404L-7

DMG3404L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG264H00R

DMG264H00R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
DMG302PU-13

DMG302PU-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23

Hersteller: Diodes Incorporated
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