Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > DMG6601LVT-7
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
1709037DMG6601LVT-7-Bild.Diodes Incorporated

DMG6601LVT-7

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
3000+
$0.093
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMG6601LVT-7
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMG6601LVT-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    TSOT-26
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    55 mOhm @ 3.4A, 10V
  • Leistung - max
    850mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Andere Namen
    DMG6601LVT-7DITR
    DMG6601LVT7
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    422pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12.3nC @ 10V
  • Typ FET
    N and P-Channel
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    3.8A, 2.5A
  • Basisteilenummer
    DMG6601

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "DMG6601LVT-7" -Einziper.
DMG564060R

DMG564060R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG6301UDW-7

DMG6301UDW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG6402LDM-7

DMG6402LDM-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG6402LVT-7

DMG6402LVT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG5802LFX-7

DMG5802LFX-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG6968UQ-7

DMG6968UQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG564H30R

DMG564H30R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG6602SVT-7

DMG6602SVT-7

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG6602SVTQ-7

DMG6602SVTQ-7

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG6968LSD-13

DMG6968LSD-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG5640N0R

DMG5640N0R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG564H20R

DMG564H20R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG564050R

DMG564050R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG6898LSD-13

DMG6898LSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG6968U-7

DMG6968U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG6968UTS-13

DMG6968UTS-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG7401SFG-13

DMG7401SFG-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG6898LSDQ-13

DMG6898LSDQ-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG6301UDW-13

DMG6301UDW-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG6968UDM-7

DMG6968UDM-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.