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2844776DMG6602SVT-7-Bild.Diodes Incorporated

DMG6602SVT-7

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMG6602SVT-7
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMG6602SVT-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    TSOT-23-6
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60 mOhm @ 3.1A, 10V
  • Leistung - max
    840mW
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Andere Namen
    DMG6602SVT-7DIDKR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    400pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13nC @ 10V
  • Typ FET
    N and P-Channel
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.4A, 2.8A 840mW Surface Mount TSOT-23-6
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    3.4A, 2.8A
  • Basisteilenummer
    DMG6602

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Das Folgende sind "DMG6602SVT-7" -Einziper.
DMG6402LVT-7

DMG6402LVT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG6968UDM-7

DMG6968UDM-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG6898LSD-13

DMG6898LSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG7401SFG-13

DMG7401SFG-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG6968UTS-13

DMG6968UTS-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG6898LSDQ-13

DMG6898LSDQ-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG6602SVTQ-7

DMG6602SVTQ-7

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG564H30R

DMG564H30R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG6968LSD-13

DMG6968LSD-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG6968UQ-7

DMG6968UQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG6402LDM-7

DMG6402LDM-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG5640N0R

DMG5640N0R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG564060R

DMG564060R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG7401SFG-7

DMG7401SFG-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG564H20R

DMG564H20R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG5802LFX-7

DMG5802LFX-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG6301UDW-7

DMG6301UDW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG6301UDW-13

DMG6301UDW-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMG6968U-7

DMG6968U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23

Hersteller: Diodes Incorporated
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