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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > DMHC3025LSD-13
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3397140DMHC3025LSD-13-Bild.Diodes Incorporated

DMHC3025LSD-13

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMHC3025LSD-13
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMHC3025LSD-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 5A, 10V
  • Leistung - max
    1.5W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    DMHC3025LSD-13DITR
    DMHC3025LSD13
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    590pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11.7nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 6A, 4.2A 1.5W Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    6A, 4.2A
  • Basisteilenummer
    DMHC3025LSD

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Das Folgende sind "DMHC3025LSD-13" -Einziper.
DMHC4035LSD-13

DMHC4035LSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
FDG6321C-F169

FDG6321C-F169

Beschreibung: INTEGRATED CIRCUIT

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
AO4600C

AO4600C

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
NTTD1P02R2

NTTD1P02R2

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MMDF2P02HDR2

MMDF2P02HDR2

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMHE001

DMHE001

Beschreibung: DSUB 9 METAL DIE CAST B/S

Hersteller: Bel
vorrätig
RFQ
SI1557DH-T1-E3

SI1557DH-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 12V 1.2A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
DMHC3025LSDQ-13

DMHC3025LSDQ-13

Beschreibung: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMHC6070LSD-13

DMHC6070LSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMHS-1

DMHS-1

Beschreibung: STRAP DMM HANGING

Hersteller: Greenlee Communications
vorrätig
RFQ
DMHT6016LFJ-13

DMHT6016LFJ-13

Beschreibung: MOSFET 4 N-CH 14.8A VDFN5045-12

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
APTMC120TAM33CTPAG

APTMC120TAM33CTPAG

Beschreibung: MOSFET 6N-CH 1200V 78A SP6-P

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
DMHA14R5V353M4ATA0

DMHA14R5V353M4ATA0

Beschreibung: SUPERCAPACITOR

Hersteller: Murata Electronics
vorrätig
RFQ
DMHC10H170SFJ-13

DMHC10H170SFJ-13

Beschreibung: MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMH-E-001

DMH-E-001

Beschreibung: CONN BACKSHELL DB9 DIECAST STR

Hersteller: Bel
vorrätig
RFQ
DMHC4035LSDQ-13

DMHC4035LSDQ-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMH-E-003

DMH-E-003

Beschreibung: CONN BACKSHELL E/9 POS DIECAST

Hersteller: Bel
vorrätig
RFQ
IRF8513TRPBF

IRF8513TRPBF

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
DMH-A-001

DMH-A-001

Beschreibung: CONN HOOD DSUB 15-DA ZINC-DIECAS

Hersteller: Bel
vorrätig
RFQ
DMH-A-003

DMH-A-003

Beschreibung: CONN BACKSHELL DB15 DIECAST

Hersteller: Bel
vorrätig
RFQ
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