Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > DMHC3025LSDQ-13
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
1331069DMHC3025LSDQ-13-Bild.Diodes Incorporated

DMHC3025LSDQ-13

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
2500+
$0.403
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMHC3025LSDQ-13
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMHC3025LSDQ-13.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 5A, 10V
  • Leistung - max
    1.5W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    DMHC3025LSDQ-13DITR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    590pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11.7nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
  • FET-Merkmal
    Standard
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 6A, 4.2A 1.5W Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    6A, 4.2A

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kündigt 500 Entlassungen an, wobei die Umstruktu...

2024/12/4

Quanta: Die KI -Nachfrage ist weiterhin stark, mit einem st...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduziert die Verwendung von Photoresist in der 3D ...

2024/12/2

Vishay wird 51 Millionen Pfund in den erworbenen NWF Wafer ...

2024/11/29
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "DMHC3025LSDQ-13" -Einziper.
DMHC4035LSDQ-13

DMHC4035LSDQ-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMHA14R5V353M4ATA0

DMHA14R5V353M4ATA0

Beschreibung: SUPERCAPACITOR

Hersteller: Murata Electronics
vorrätig
RFQ
ALD110900ASAL

ALD110900ASAL

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
vorrätig
RFQ
DMHS-1

DMHS-1

Beschreibung: STRAP DMM HANGING

Hersteller: Greenlee Communications
vorrätig
RFQ
DMH-A-001

DMH-A-001

Beschreibung: CONN HOOD DSUB 15-DA ZINC-DIECAS

Hersteller: Bel
vorrätig
RFQ
DMH-E-003

DMH-E-003

Beschreibung: CONN BACKSHELL E/9 POS DIECAST

Hersteller: Bel
vorrätig
RFQ
DMHC10H170SFJ-13

DMHC10H170SFJ-13

Beschreibung: MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMHC6070LSD-13

DMHC6070LSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
APTC60AM242G

APTC60AM242G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 600V 95A SP2

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
SI4204DY-T1-GE3

SI4204DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI3529DV-T1-E3

SI3529DV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
DMHC4035LSD-13

DMHC4035LSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMHT6016LFJ-13

DMHT6016LFJ-13

Beschreibung: MOSFET 4 N-CH 14.8A VDFN5045-12

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
NTMD6P02R2G

NTMD6P02R2G

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMHC3025LSD-13

DMHC3025LSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMHE001

DMHE001

Beschreibung: DSUB 9 METAL DIE CAST B/S

Hersteller: Bel
vorrätig
RFQ
DMH-A-003

DMH-A-003

Beschreibung: CONN BACKSHELL DB15 DIECAST

Hersteller: Bel
vorrätig
RFQ
DMN2028UFU-7

DMN2028UFU-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A UDFN2030-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN5L06VAK-7

DMN5L06VAK-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMH-E-001

DMH-E-001

Beschreibung: CONN BACKSHELL DB9 DIECAST STR

Hersteller: Bel
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsNachrichtSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.