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DMN1002UCA6-7

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN1002UCA6-7
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMN1002UCA6-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    -
  • Leistung - max
    1.1W
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    6-SMD, No Lead
  • Andere Namen
    DMN1002UCA6-7DIDKR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    68.6nC @ 4V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET-Merkmal
    Standard
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    -
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 1.1W Surface Mount
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    -

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Das Folgende sind "DMN1002UCA6-7" -Einziper.
DMN1019USN-7

DMN1019USN-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN100-7-F

DMN100-7-F

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN1019UFDE-7

DMN1019UFDE-7

Beschreibung: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN1016UCB6-7

DMN1016UCB6-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN1017UCP3-7

DMN1017UCP3-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN1008UFDF-13

DMN1008UFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH30V SC-59

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN1003UCA6-7

DMN1003UCA6-7

Beschreibung: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN1004UFV-7

DMN1004UFV-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN1008UFDF-7

DMN1008UFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH30V SC-59

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN1004UFDF-7

DMN1004UFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN1032UCB4-7

DMN1032UCB4-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN1029UFDB-13

DMN1029UFDB-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN1019USN-13

DMN1019USN-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN1004UFV-13

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Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMN1006UCA6-7

DMN1006UCA6-7

Beschreibung: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMN1004UFDF-13

DMN1004UFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
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