DMN1004UFDF-7

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN1004UFDF-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN1004UFDF-7.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

U-DFN2020-6
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8 mOhm @ 15A, 4.5V
Verlustleistung (max)

2.1W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-UDFN Exposed Pad
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2385pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 12V 15A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

15A (Ta)

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DMN1019USN-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated

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