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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMN10H170SFG-13

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2741956

DMN10H170SFG-13-Bild.

Diodes Incorporated

DMN10H170SFG-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN10H170SFG-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN10H170SFG-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerDI3333-8
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

122 mOhm @ 3.3A, 10V
Verlustleistung (max)

940mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerWDFN
Andere Namen

DMN10H170SFG-13DITR
DMN10H170SFG-13TR
DMN10H170SFG-13TR-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

870.7pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.9nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) 940mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.9A (Ta), 8.5A (Tc)

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Das Folgende sind "DMN10H170SFG-13" -Einziper.

DMN10H120SE-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H170SK3Q-13

DMN10H170SK3Q-13

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 4.2A

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H170SFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H170SVTQ-7

DMN10H170SVTQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H220L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H220L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H170SFDE-13

DMN10H170SFDE-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H170SVT-13

DMN10H170SVT-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H220LE-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H099SFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 12A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H120SFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H170SVT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H170SVTQ-13

DMN10H170SVTQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

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