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2440815DMN10H170SVT-13-Bild.Diodes Incorporated

DMN10H170SVT-13

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN10H170SVT-13
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMN10H170SVT-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TSOT-26
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    160 mOhm @ 5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.2W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Andere Namen
    DMN10H170SVT-13DI
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    24 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1167pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.7nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 2.6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-26
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2.6A (Ta)

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DMN10H220LQ-13

DMN10H220LQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMN10H170SVT-7

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN10H100SK3-13

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN10H120SFG-7

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 12A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN10H220LE-13

DMN10H220LE-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMN10H120SE-13

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMN10H220LVT-7

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMN10H220L-13

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMN10H170SFG-13

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMN10H170SFDE-7

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMN10H170SVTQ-13

DMN10H170SVTQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMN10H170SFDE-13

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMN10H220LVT-13

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMN10H170SFG-7

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

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Beschreibung: MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

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