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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMN2005LP4K-7

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1955575

DMN2005LP4K-7-Bild.

Diodes Incorporated

DMN2005LP4K-7

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN2005LP4K-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN2005LP4K-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

900mV @ 100µA
Vgs (Max)

±10V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

X2-DFN1006-3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Verlustleistung (max)

400mW (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

3-XFDFN
Andere Namen

DMN2005LP4KDICT
Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

41pF @ 3V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

200mA (Ta)

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Das Folgende sind "DMN2005LP4K-7" -Einziper.

DMN2005LPK-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2005UFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2004WKQ-7

DMN2004WKQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2004DMK-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2004K-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2005UPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2009LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2008LFU-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2008LFU-13

Beschreibung: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2011UFDE-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2010UDZ-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2005UFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2005DLP4K-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2004TK-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2005K-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2004VK-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2004DWKQ-7

Beschreibung: MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2004WK-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2011UFDE-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2004DWK-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363

Hersteller: Diodes Incorporated

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