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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > DMN2004DWKQ-7
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582803DMN2004DWKQ-7-Bild.Diodes Incorporated

DMN2004DWKQ-7

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN2004DWKQ-7
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-363
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    550 mOhm @ 540mA, 4.5V
  • Leistung - max
    200mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    24 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    150pF @ 16V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.95nC @ 8V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Standard
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 540mA (Ta) 200mW Surface Mount SOT-363
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    540mA (Ta)
DMN2004K-7

DMN2004K-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN2005LP4K-7

DMN2005LP4K-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN1260UFA-7B

DMN1260UFA-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 0.5A X2DFN-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN15H310SE-13

DMN15H310SE-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN15H310SK3-13

DMN15H310SK3-13

Beschreibung: MOSFET NCH 150V 8.3A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN13H750S-13

DMN13H750S-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN2005K-7

DMN2005K-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN2004WK-7

DMN2004WK-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN2004DWK-7

DMN2004DWK-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN2004WKQ-7

DMN2004WKQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN1250UFEL-7

DMN1250UFEL-7

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN2005LPK-7

DMN2005LPK-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN16M9UCA6-7

DMN16M9UCA6-7

Beschreibung: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN13M9UCA6-7

DMN13M9UCA6-7

Beschreibung: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN2004TK-7

DMN2004TK-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN2004DMK-7

DMN2004DMK-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN2004VK-7

DMN2004VK-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN2005DLP4K-7

DMN2005DLP4K-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN13H750S-7

DMN13H750S-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN2005UFG-13

DMN2005UFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Hersteller: Diodes Incorporated
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