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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMN2011UFDF-13

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2610085

DMN2011UFDF-13-Bild.

Diodes Incorporated

DMN2011UFDF-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN2011UFDF-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN2011UFDF-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

U-DFN2020-6 (Type F)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Verlustleistung (max)

2.1W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-UDFN Exposed Pad
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2248pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 14.2A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

14.2A (Ta)

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Das Folgende sind "DMN2011UFDF-13" -Einziper.

DMN2005LPK-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2014LHAB-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2005UFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2011UFX-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2011UFDE-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2008LFU-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2011UFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2016LFG-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2005UPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2011UFDE-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2009LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2015UFDE-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2008LFU-13

Beschreibung: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2005UFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2010UDZ-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2013UFDE-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

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