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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > DMN2014LHAB-7

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DMN2014LHAB-7-Bild.

Diodes Incorporated

DMN2014LHAB-7

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN2014LHAB-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN2014LHAB-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

U-DFN2030-6 (Type B)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

13 mOhm @ 4A, 4.5V
Leistung - max

800mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-UFDFN Exposed Pad
Andere Namen

DMN2014LHAB-7DITR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1550pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9A 800mW Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9A

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Das Folgende sind "DMN2014LHAB-7" -Einziper.

DMN2015UFDE-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2011UFDE-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2020UFCL-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2011UFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2011UFX-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2010UDZ-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2016LFG-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2016LHAB-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2009LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2020LSN-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2013UFDE-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2011UFDE-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2011UFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated

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DMN2022UFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

Hersteller: Diodes Incorporated

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