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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > DMN2050LFDB-7
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3159508DMN2050LFDB-7-Bild.Diodes Incorporated

DMN2050LFDB-7

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN2050LFDB-7
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMN2050LFDB-7.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    U-DFN2020-6 (Type B)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    45 mOhm @ 5A, 4.5V
  • Leistung - max
    730mW
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-UDFN Exposed Pad
  • Andere Namen
    DMN2050LFDB-7DICT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    389pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3.3A 730mW Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    3.3A

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Das Folgende sind "DMN2050LFDB-7" -Einziper.
DMN2041LSD-13

DMN2041LSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2041L-7

DMN2041L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2075UDW-7

DMN2075UDW-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2080UCB4-7

DMN2080UCB4-7

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 8V24V X2-WLB0808-

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2056U-13

DMN2056U-13

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2040LTS-13

DMN2040LTS-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2065UWQ-7

DMN2065UWQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2050LFDB-13

DMN2050LFDB-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2065UW-7

DMN2065UW-7

Beschreibung: MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2058U-13

DMN2058U-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2046U-7

DMN2046U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2058UW-7

DMN2058UW-7

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 8V 24V SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2041UFDB-7

DMN2041UFDB-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2050L-7

DMN2050L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2058U-7

DMN2058U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2056U-7

DMN2056U-7

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2075U-7

DMN2075U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2041UFDB-13

DMN2041UFDB-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2044UCB4-7

DMN2044UCB4-7

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 8V 24V U-WLB1010-4

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMN2046U-13

DMN2046U-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
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