Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > DMN2300UFL4-7

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

6310339

DMN2300UFL4-7-Bild.

Diodes Incorporated

DMN2300UFL4-7

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

3000+

$0.17

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

DMN2300UFL4-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN2300UFL4-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

X2-DFN1310-6
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

195 mOhm @ 300mA, 4.5V
Leistung - max

530mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-XFDFN Exposed Pad
Andere Namen

DMN2300UFL4-7DITR
DMN2300UFL47
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

64.3pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.6nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.11A 530mW Surface Mount X2-DFN1310-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.11A

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "DMN2300UFL4-7" -Einziper.

DMN2230UQ-13

Beschreibung: MOSFET NCH 20V 2A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN24H3D5L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2215UDM-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2400UV-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2300UFD-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2230U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN24H3D5L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2400UFD-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2450UFD-7

Beschreibung: MOSFETN-CHAN 20V X1-DFN1212-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2230UQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2400UFB-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2250UFB-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2400UFDQ-13

DMN2400UFDQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2300UFB-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2400UFDQ-7

DMN2400UFDQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2320UFB4-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2300UFB4-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2400UFB4-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN21D2UFB-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2300U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.