Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMN24H3D5L-13
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
4300864DMN24H3D5L-13-Bild.Diodes Incorporated

DMN24H3D5L-13

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
10000+
$0.205
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN24H3D5L-13
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMN24H3D5L-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.5 Ohm @ 300mA, 10V
  • Verlustleistung (max)
    760mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    DMN24H3D5L-13DI
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    20 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    188pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.6nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    3.3V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    240V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 240V 480mA (Ta) 760mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    480mA (Ta)

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "DMN24H3D5L-13" -Einziper.
DMN2400UFB-7

DMN2400UFB-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2500UFB4-7

DMN2500UFB4-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN25D0UFA-7B

DMN25D0UFA-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 0.24A 3DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2501UFB4-7

DMN2501UFB4-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2450UFD-7

DMN2450UFD-7

Beschreibung: MOSFETN-CHAN 20V X1-DFN1212-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2320UFB4-7B

DMN2320UFB4-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2600UFB-7

DMN2600UFB-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2990UDJ-7

DMN2990UDJ-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN24H3D5L-7

DMN24H3D5L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN26D0UDJ-7

DMN26D0UDJ-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2550UFA-7B

DMN2550UFA-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2400UFB4-7

DMN2400UFB4-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN26D0UFB4-7

DMN26D0UFB4-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 230MA DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2400UFDQ-13

DMN2400UFDQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2300UFL4-7

DMN2300UFL4-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN26D0UT-7

DMN26D0UT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2400UV-7

DMN2400UV-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2400UFDQ-7

DMN2400UFDQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2300UFD-7

DMN2300UFD-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2400UFD-7

DMN2400UFD-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.