Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMN3024SFG-7
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
4610856DMN3024SFG-7-Bild.Diodes Incorporated

DMN3024SFG-7

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1+
$0.45
10+
$0.389
100+
$0.29
500+
$0.228
1000+
$0.176
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN3024SFG-7
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMN3024SFG-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerDI3333-8
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    23 mOhm @ 10A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    900mW (Ta)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerWDFN
  • Andere Namen
    DMN3024SFG-7DICT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    478.9pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10.5nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 7.5A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    7.5A (Ta)

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "DMN3024SFG-7" -Einziper.
DMN3020UTS-13

DMN3020UTS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 15A 8-TSSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3026LVTQ-13

DMN3026LVTQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3020UFDF-7

DMN3020UFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3026LVTQ-7

DMN3026LVTQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3025LFDF-13

DMN3025LFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9.9A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3024LK3-13

DMN3024LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3025LFG-13

DMN3025LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.5A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3021LFDF-13

DMN3021LFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11.8A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3024SFG-13

DMN3024SFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3025LFDF-7

DMN3025LFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9.9A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3027LFG-13

DMN3027LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3023L-7

DMN3023L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3024LSD-13

DMN3024LSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3025LSS-13

DMN3025LSS-13

Beschreibung: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3021LFDF-7

DMN3021LFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11.8A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3025LFG-7

DMN3025LFG-7

Beschreibung: MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3024LSS-13

DMN3024LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3023L-13

DMN3023L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3026LVT-7

DMN3026LVT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3025LFV-13

DMN3025LFV-13

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 25V 30V POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.