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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMN3025LFG-7

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3742736

DMN3025LFG-7-Bild.

Diodes Incorporated

DMN3025LFG-7

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN3025LFG-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN3025LFG-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerDI3333-8
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

18 mOhm @ 7.8A, 10V
Verlustleistung (max)

2W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerWDFN
Andere Namen

DMN3025LFG-7TR
DMN3025LFG7
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

605pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.6nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 7.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7.5A (Ta)

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Das Folgende sind "DMN3025LFG-7" -Einziper.

DMN3024LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3024LSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3027LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3024SFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3025LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.5A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3024SFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3025LSS-13

Beschreibung: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3030LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3026LVT-7

DMN3026LVT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3029LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3030LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3023L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3025LFV-13

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 25V 30V POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3023L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3025LFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9.9A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3027LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3024LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3026LVTQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3026LVTQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3025LFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9.9A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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