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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMN3033LSNQ-13

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DMN3033LSNQ-13-Bild.

Diodes Incorporated

DMN3033LSNQ-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN3033LSNQ-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN3033LSNQ-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SC-59
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max)

1.4W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

DMN3033LSNQ-13DI
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

755pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 6A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount SC-59
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6A (Ta)

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Das Folgende sind "DMN3033LSNQ-13" -Einziper.

DMN3032LFDBQ-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3033LSDQ-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3032LFDB-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3032LFDBQ-13

DMN3032LFDBQ-13

Beschreibung: MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3050S-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3042L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3032LFDB-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3032LE-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3033LSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3031LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3051L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3042LFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3033LDM-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3035LWN-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3042LFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3051LDM-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4A SOT26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3035LWN-13

DMN3035LWN-13

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3033LSNQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3033LSN-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3042L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

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