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6111520DMN3042L-13-Bild.Diodes Incorporated

DMN3042L-13

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN3042L-13
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMN3042L-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    26.5 mOhm @ 5.8A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    720mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    DMN3042L-13DI
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    20 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    860pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 5.8A (Ta) 720mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    5.8A (Ta)

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DMN3032LFDBQ-7

DMN3032LFDBQ-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3052L-7

DMN3052L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3050S-7

DMN3050S-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3035LWN-7

DMN3035LWN-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3033LSD-13

DMN3033LSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3035LWN-13

DMN3035LWN-13

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3033LSDQ-13

DMN3033LSDQ-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3032LFDBQ-13

DMN3032LFDBQ-13

Beschreibung: MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3051LDM-7

DMN3051LDM-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4A SOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3042LFDF-13

DMN3042LFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3051L-7

DMN3051L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3033LSNQ-13

DMN3033LSNQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3053L-7

DMN3053L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3042LFDF-7

DMN3042LFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3052LSS-13

DMN3052LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMN3033LSNQ-7

DMN3033LSNQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMN3042L-7

DMN3042L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMN3033LDM-7

DMN3033LDM-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMN3033LSN-7

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

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DMN3053L-13

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3

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